AP50N04D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP50N04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP50N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50N04D даташит

 ..1. Size:851K  cn apm
 ap50n04d.pdf pdf_icon

AP50N04D

AP50N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =50 A DS D R

 7.1. Size:623K  allpower
 ap50n04gd.pdf pdf_icon

AP50N04D

 7.2. Size:645K  allpower
 ap50n04k.pdf pdf_icon

AP50N04D

 7.3. Size:557K  allpower
 ap50n04qd.pdf pdf_icon

AP50N04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4N10MI, AP4N15MI, AP4P05MI, AP50G03GD, AP50H06NF, AP50N03AD, AP50N03D, AP50N03DF, IRF1010E, AP50N05D, AP50N06D, AP50N06NF, AP50N10D, AP50N10P, AP50N20MP, AP80P10D, AP8205A-21