AP8205S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8205S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8205S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для AP8205S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  cn apm
 ap8205s.pdf pdf_icon

AP8205S

AP8205S 20V N+N Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge DS(ON)and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V, ID = 6A RDS(ON)

 8.1. Size:2085K  allpower
 ap8205.pdf pdf_icon

AP8205S

 8.2. Size:1327K  allpower
 ap8205a.pdf pdf_icon

AP8205S

 8.3. Size:1271K  cn apm
 ap8205a-21.pdf pdf_icon

AP8205S

AP8205A-21 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205A-21 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =20V I =6.5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP50N05D , AP50N06D , AP50N06NF , AP50N10D , AP50N10P , AP50N20MP , AP80P10D , AP8205A-21 , TK10A60D , AP85N04NF , AP8814A , AP8H04DF , AP8H04S , AP8H06S , AP8N06SI , AP8N10MI , AP8P04MI .

 

 
Back to Top

 


 
.