AP8205S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для AP8205S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8205S даташит

 ..1. Size:681K  cn apm
 ap8205s.pdf pdf_icon

AP8205S

AP8205S 20V N+N Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge DS(ON) and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V, ID = 6A RDS(ON)

 8.1. Size:2085K  allpower
 ap8205.pdf pdf_icon

AP8205S

 8.2. Size:1327K  allpower
 ap8205a.pdf pdf_icon

AP8205S

 8.3. Size:1271K  cn apm
 ap8205a-21.pdf pdf_icon

AP8205S

AP8205A-21 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205A-21 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =20V I =6.5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP50N05D, AP50N06D, AP50N06NF, AP50N10D, AP50N10P, AP50N20MP, AP80P10D, AP8205A-21, TK10A60D, AP85N04NF, AP8814A, AP8H04DF, AP8H04S, AP8H06S, AP8N06SI, AP8N10MI, AP8P04MI