AP8H04S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8H04S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AP8H04S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8H04S даташит

 ..1. Size:2038K  cn apm
 ap8h04s.pdf pdf_icon

AP8H04S

AP8H04S 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8H04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8A DS D R

 8.1. Size:1214K  cn apm
 ap8h04df.pdf pdf_icon

AP8H04S

AP8H04DF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8H04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =10.8A DS D R

 9.1. Size:1689K  cn apm
 ap8h06s.pdf pdf_icon

AP8H04S

AP8H06S 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8H06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8A DS D R

Другие IGBT... AP50N10P, AP50N20MP, AP80P10D, AP8205A-21, AP8205S, AP85N04NF, AP8814A, AP8H04DF, IRFP250, AP8H06S, AP8N06SI, AP8N10MI, AP8P04MI, AP8P04S, AP8V06S, AP90N02D, AP90N02NF