AP30N02D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP30N02D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP30N02D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30N02D даташит

 ..1. Size:1316K  cn apm
 ap30n02d.pdf pdf_icon

AP30N02D

AP30N02D 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30N02D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =30A DS D R = 11m @ V =4.5V DS(ON) GS Application

 8.1. Size:1972K  allpower
 ap30n03k.pdf pdf_icon

AP30N02D

 8.2. Size:808K  allpower
 ap30n04k.pdf pdf_icon

AP30N02D

 8.3. Size:1427K  cn apm
 ap30n06df.pdf pdf_icon

AP30N02D

AP30N06DF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30N06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =30A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2N20MI, AP2N30MI, AP2N7002A, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF, AOD4184A, AP30N03DF, AP30N06D, AP30N06DF, AP30N06Y, AP30N10D, AP50P03D, AP50P03DF, AP50P03NF