AP5N04MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP5N04MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5N04MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP5N04MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N04MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn apm
 ap5n04mi.pdf pdf_icon

AP5N04MI

AP5N04MI 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DescriptionThe AP5N04MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =5.0A DS DR

 9.1. Size:1567K  cn apm
 ap5n06mi.pdf pdf_icon

AP5N04MI

AP5N06MI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N06MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =5A DS DR

Другие MOSFET... AP50P03DF , AP50P03NF , AP50P04D , AP50P04DF , AP50P10D , AP50P10NF , AP50P10P , AP55N10F , IRF640 , AP5N06MI , AP5N10BI , AP5N10BSI , AP5N10MI , AP5N10SI , , , .

History: AP5N10MI | AP5N10SI | AP5N06MI

 

 
Back to Top

 


 
.