AP5N04MI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP5N04MI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP5N04MI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N04MI даташит

 ..1. Size:886K  cn apm
 ap5n04mi.pdf pdf_icon

AP5N04MI

AP5N04MI 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N04MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =5.0A DS D R

 9.1. Size:1567K  cn apm
 ap5n06mi.pdf pdf_icon

AP5N04MI

AP5N06MI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N06MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =5A DS D R

Другие IGBT... AP50P03DF, AP50P03NF, AP50P04D, AP50P04DF, AP50P10D, AP50P10NF, AP50P10P, AP55N10F, IRFZ44, AP5N06MI, AP5N10BI, AP5N10BSI, AP5N10MI, AP5N10SI, AP6N10MI, AP6N12MI, AP6N40D