AP3P10S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3P10S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AP3P10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P10S даташит

 ..1. Size:1616K  cn apm
 ap3p10s.pdf pdf_icon

AP3P10S

AP3P10S -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3P10S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3A DS D R

 8.1. Size:2096K  cn apm
 ap3p10mi.pdf pdf_icon

AP3P10S

AP3P10MI -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3P10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3A DS D R

Другие IGBT... AP3N06I, AP3N06MI, AP3N10BI, AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, 2SK3568, AP40G03NF, AP40H04NF, AP40H10NF, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA