ATM2300NSA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM2300NSA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ATM2300NSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM2300NSA даташит

 ..1. Size:2247K  agertech
 atm2300nsa.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

 8.1. Size:510K  agertech
 atm2302bnsa.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

ATM2302BNSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 20V Drain Current 3A Features Trench Power LV MOSFET technology High power and current handing capability R

 8.2. Size:759K  agertech
 atm2305psa.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

ATM2305PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -15V Drain Current -5.6A Features Trench FET Power MOSFET Excellent RDS(on) and Low Gate Charge RDS(ON)( at VGS=-4.5V) 36.4 mohm RDS(ON)( at VGS=-2.5V) 53.0 mohm RDS(ON)( at VGS=-1.8V) 62.0 mohm Applications Battery protection Load switch Power manag

 8.3. Size:497K  agertech
 atm2301psc.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

ATM2301PSC P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -20V Drain Current -3A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3P10S, AP40G03NF, AP40H04NF, AP40H10NF, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, IRF520, ATM2301PSC, ATM2302NSA, ATM2305PSA, ATM2310NSA, ATM2320KNSA, AP4959A, AP5N15MSI, AP5N20D