ATM2300NSA - аналоги и даташиты транзистора

 

ATM2300NSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ATM2300NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ATM2300NSA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM2300NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2247K  agertech
 atm2300nsa.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

 8.1. Size:510K  agertech
 atm2302bnsa.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

ATM2302BNSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 20V Drain Current: 3AFeatures Trench Power LV MOSFET technology High power and current handing capabilityR

 8.2. Size:759K  agertech
 atm2305psa.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

ATM2305PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: -15V Drain Current: -5.6A Features Trench FET Power MOSFET Excellent RDS(on) and Low Gate Charge RDS(ON)( at VGS=-4.5V)36.4 mohm RDS(ON)( at VGS=-2.5V)53.0 mohm RDS(ON)( at VGS=-1.8V)62.0 mohm Applications Battery protection Load switch Power manag

 8.3. Size:497K  agertech
 atm2301psc.pdf pdf_icon

ATM2300NSA

ATM2301PSCP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: -20V Drain Current: -3AFeatures Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate ChargeDS(on)R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3P10S , AP40G03NF , AP40H04NF , AP40H10NF , ATM06P50TC , ATM10N10SQ , ATM10N65TF , ATM1205PSI , STF13NM60N , ATM2301PSC , ATM2302NSA , ATM2305PSA , ATM2310NSA , ATM2320KNSA , AP4959A , AP5N15MSI , AP5N20D .

History: ATM2320KNSA

 

 
Back to Top

 


 
.