AP25G02NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP25G02NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP25G02NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25G02NF даташит

 ..1. Size:2013K  cn apm
 ap25g02nf.pdf pdf_icon

AP25G02NF

AP25G02NF 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25G02NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =32A DS D R

 8.1. Size:1571K  cn apm
 ap25g03gd.pdf pdf_icon

AP25G02NF

AP25G03GD 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25G03GD uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =25A DS D R

 8.2. Size:1513K  cn apm
 ap25g04gd.pdf pdf_icon

AP25G02NF

AP25G04GD 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25G04GD uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =28 A DS D R

 9.1. Size:67K  ape
 ap25g45em.pdf pdf_icon

AP25G02NF

AP25G45EM Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 150A C C 4.5V Gate Drive C C Strobe Flash Applications C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP20P02D, AP20P02SI, AP20P03D, AP20P03DF, AP20P04D, AP220N08TLG1, AP220N10MP, AP2222D, IRF540N, AP25G03GD, AP25G04GD, AP25N04D, AP25N04S, AP4406A, AP4406B, AP4407A, AP4407B