AP4409A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4409A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4409A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4409A даташит

 ..1. Size:1552K  cn apm
 ap4409a.pdf pdf_icon

AP4409A

AP4409A -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4409A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I = 14A DS D R

 0.1. Size:182K  ape
 ap4409agem.pdf pdf_icon

AP4409A

AP4409AGEM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D D Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 0.2. Size:61K  ape
 ap4409agem-hf.pdf pdf_icon

AP4409A

AP4409AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D D Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5A G S S RoHS Compliant S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

 0.3. Size:99K  ape
 ap4409ageh-hf.pdf pdf_icon

AP4409A

AP4409AGEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D Lower On-resistance RDS(ON) 8m G Fast Switching Characteristic ID -85A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP25G03GD, AP25G04GD, AP25N04D, AP25N04S, AP4406A, AP4406B, AP4407A, AP4407B, IRF640N, AP4435A, AP4435B, AP45P06D, AP45P06NF, AP4606C, AP4953A, AP4953B, AP5N40D