AP40P04NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP40P04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP40P04NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L

 Аналог (замена) для AP40P04NF

 

AP40P04NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1491K  cn apm
 ap40p04nf.pdf pdf_icon

AP40P04NF

AP40P04NF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 7.1. Size:606K  allpower
 ap40p04g.pdf pdf_icon

AP40P04NF

 7.2. Size:638K  allpower
 ap40p04q.pdf pdf_icon

AP40P04NF

 7.3. Size:670K  allpower
 ap40p04k.pdf pdf_icon

AP40P04NF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP40N02D , AP40N03S , AP40N10P , AP40N20MP , AP40P02D , AP40P03DF , AP40P04D , AP40P04DF , TK10A60D , AP5P04MI , AP5P06MSI , AP60N02D , AP60N02DF , AP60N02NF , AP60N03D , AP60N03DF , AP60N03NF .

 

 
Back to Top

 


 
.