AGMH12N10C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGMH12N10C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGMH12N10C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH12N10C даташит

 ..1. Size:1642K  cn agmsemi
 agmh12n10c.pdf pdf_icon

AGMH12N10C

AGMH12N10C General Description Product Summary The AGMH12N10C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 100V 9.6m 55A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to m

 5.1. Size:1651K  cn agmsemi
 agmh12n10i.pdf pdf_icon

AGMH12N10C

AGMH12N10I Characteristics Curve Typ. output characteristics Typ. drain-source on resistance I =f(V ) R =f(I ) D DS DS(on) D Typ. transfer characteristics Drain-source on-state resistance I =f(V ) R =f(T );I =20A; V =10V D GS DS(on) j D GS www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGMH12N10I Gate Threshold Voltage Drain-source breakdown voltage V =f(T ); I =250uA V =f(T ); I =250uA TH

 5.2. Size:1655K  cn agmsemi
 agmh12n10d.pdf pdf_icon

AGMH12N10C

AGMH12N10D Characteristics Curve Typ. output characteristics Typ. drain-source on resistance I =f(V ) R =f(I ) D DS DS(on) D Typ. transfer characteristics Drain-source on-state resistance I =f(V ) R =f(T );I =20A; V =10V D GS DS(on) j D GS www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGMH12N10D AGMH12N10D Gate Threshold Voltage Drain-source breakdown voltage V =f(T ); I =250uA V =f(T ); I

 8.1. Size:2008K  cn agmsemi
 agmh12h05h.pdf pdf_icon

AGMH12N10C

AGMH12H05H General Description Product Summary The AGMH12H05H combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 120V 4.5m 125A Features Advance high cell density Trench technology TO-263 Pin Configuration Low R to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP60N04D, AP60N04DF, AP60N04NF, AP60N06F, AP60P02D, AGMH10P15C, AGMH10P15D, AGMH12H05H, 2N60, AGMH6018C, AGMH6035D, AGMH603H, AGM628AP, AGM628D, AGM628DM1, AGM1095M, AGM1099EL