Справочник MOSFET. STU438S

 

STU438S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STU438S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для STU438S

 

 

STU438S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  samhop
 stu438s std438s.pdf

STU438S STU438S

GreerrPPrPrProSTU/D438SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

 8.1. Size:127K  samhop
 stu438a std438a.pdf

STU438S STU438S

GreenProductSTU/D438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO251 Package.40V 47A11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES(D- )TO - 252AA PAK ( )TO - 251 I - PAK

 9.1. Size:121K  samhop
 stu432s std432s.pdf

STU438S STU438S

GreenProductSTU/D432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.2. Size:110K  samhop
 stu435s std435s.pdf

STU438S STU438S

GrPPrPPSTU/D435SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.-40V -38A27 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.3. Size:110K  samhop
 stu432l std432l.pdf

STU438S STU438S

GrerrPPrPrProSTU/D432LaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.10 @ VGS=10VTO-252 and TO251 Package.40V 42A15 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES(D- )TO - 252AA PAK ( )TO -

 9.4. Size:128K  samhop
 stu437s std437s.pdf

STU438S STU438S

STU437SGreenProductSTD437SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-40V -32A30 @ VGS=-4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.5. Size:123K  samhop
 stu434s std434s.pdf

STU438S STU438S

GreenProductSTU/D434SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.2 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11.5 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO -

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top