AGM30P35S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM30P35S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM30P35S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM30P35S даташит

 ..1. Size:1276K  cn agmsemi
 agm30p35s.pdf pdf_icon

AGM30P35S

AGM30P35S General Description Product Summary The AGM30P35S combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . BVDSS RDSON ID package DS(ON) This device is ideal for load switch and battery -30V 34.5m -6A protection applications. SOP8 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technology R to minimize conduct

 6.1. Size:1239K  cn agmsemi
 agm30p35m.pdf pdf_icon

AGM30P35S

AGM30P35M General Description Product Summary The AGM30P35M combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . BVDSS RDSON ID package DS(ON) This device is ideal for load switch and battery -30V 33m -5.4A protection applications. Features SOP8 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology R to minimize conduct

 6.2. Size:1266K  cn agmsemi
 agm30p35ap.pdf pdf_icon

AGM30P35S

AGM30P35AP General Description Product Summary The AGM30P35AP combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . BVDSS RDSON ID package DS(ON) This device is ideal for load switch and battery -30V 34.5m -16A protection applications. PDFN3.3*3.3 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technology R to minimi

 6.3. Size:1193K  cn agmsemi
 agm30p35d.pdf pdf_icon

AGM30P35S

AGM30P35D General Description Product Summary The AGM30P35D combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . BVDSS RDSON ID package DS(ON) This device is ideal for load switch and battery -30V 36.5m -20A protection applications. TO-252 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technology R to minimize cond

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM30P25D, AGM30P25M, AGM30P25MBP, AGM30P25MBQ, AGM30P25S, AGM30P35AP, AGM30P35D, AGM30P35M, 75N75, AGM30P55A, AGM30P55D, AGM30P55D1, AGM30P85D, AGM015N10LL, AGM01P15AP, AGM01P15D, AGM01P15E