AGM038N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM038N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 622 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM038N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM038N10A даташит

 ..1. Size:1363K  cn agmsemi
 agm038n10a.pdf pdf_icon

AGM038N10A

AGM038N10A Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 100 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =100V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltag

 9.1. Size:1011K  cn agmsemi
 agm03n85h.pdf pdf_icon

AGM038N10A

AGM03N85H General Description Product Summary The AGM03N85H combines advanced trench to MOSFET technology with a low resistance package provide extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery 85V 2.8m 140A protection applications. Features TO-263 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minim

 9.2. Size:1294K  cn agmsemi
 agm035n10h.pdf pdf_icon

AGM038N10A

AGM035N10H General Description Product Summary The AGM035N10H combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. 100V 3.5m 150A Features Advance high cell density Trench technology TO-263 Pin Configuration Low R to

 9.3. Size:1917K  cn agmsemi
 agm035n10a.pdf pdf_icon

AGM038N10A

AGM035N10A Characteristics Curve Typ. output characteristics Typ. drain-source on resistance I =f(V ) R =f(I ) D DS DS(on) D Typ. transfer characteristics Typ. forward transconductance I =f(V ) g =f(I ) D GS fs D www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM035N10A Drain-source on-state resistance Typ. capacitances R =f(T ); I =56A; V =10V C =f(V ); V =0V; f =1MHz DS(on) j D GS DS GS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM01T08LL, AGM025N08H, AGM025N10C, AGM025N13LL, AGM028N08A, AGM035N10A, AGM035N10C, AGM035N10H, IRF640, AGM03N85H, AGM042N10A, AGM1030MBP, AGM1030MNA, AGM1075D, AGM1075-G, AGM1075MBP, AGM1075MN