DMB53D0UDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMB53D0UDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для DMB53D0UDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMB53D0UDW даташит

 ..1. Size:321K  diodes
 dmb53d0udw.pdf pdf_icon

DMB53D0UDW

DMB53D0UDW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case SOT-363 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD

 6.1. Size:135K  diodes
 dmb53d0uv.pdf pdf_icon

DMB53D0UDW

DMB53D0UV N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case SOT-563 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Volt

Другие IGBT... STU446S, 2N7002VAC, 2N7002VC, STU438S, BS870, BSN20, BSS138DW, STU438A, IRFB4110, DMB53D0UV, DMB54D0UDW, DMB54D0UV, DMG1026UV, DMN4009LK3, DMN4015LK3, DMN4027SSD, DMN4027SSS