AGM16N10C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AGM16N10C 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AGM16N10C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AGM16N10C даташит
agm16n10c.pdf
AGM16N10C General Description Product Summary The AGM16N10C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. Features 100V 15m 55A Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to minimi
agm16n10d.pdf
AGM16N10D General Description Product Summary The AGM16N10D combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. Features 100V 16m 40A Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to minimi
agm16n65f.pdf
AGM16N65F General Description Product Summary The AGM16N65F combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON ID for load protection applications. 650V 0.58 16A Features Advance high cell density Trench technology TO-220F Pin Configuration Low R to m
Другие IGBT... AGM15T06T, AGM15T13A, AGM15T13C, AGM15T13D, AGM15T13F, AGM15T13H, AGM15T16C, AGM15T16D, HY1906P, AGM16N10D, AGM302C1, AGM302D1, AGM303A, AGM303AP, AGM303D, AGM303D1, AGM303MNA
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SSW60R130S2 | SI7674DP | HM80N04 | DHFSJ5N65 | SSW60R140SFD | AGM065N10C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100



