AGM20P22AS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM20P22AS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM20P22AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM20P22AS даташит

 ..1. Size:1433K  cn agmsemi
 agm20p22as.pdf pdf_icon

AGM20P22AS

AGM20P22AS Characteristics Curve Typ. output characteristics Typ. drain-source on resistance I =f(V ) R =f(I ) D DS DS(on) D Typ. transfer characteristics Drain-source on-state resistance I =f(V ) R =f(T );I =-5A; V =-4.5V D GS DS(on) j D GS www.agm-mos.com 3 VER2.5 AGM20P22AS Gate Threshold Voltage Drain-source breakdown voltage -V =f(T ); I =-250uA V =f(T ); I =-250uA

 8.1. Size:1357K  cn agmsemi
 agm20p16as.pdf pdf_icon

AGM20P22AS

AGM20P16AS Typical Electrical and Thermal Characteristics ton toff tr tf td(on) td(off) 90% 90% VOUT INVERTED 10% 10% 90% VIN 50% 50% 10% PULSE WIDTH Figure 1 Switching Test Circuit Figure 2 Switching Waveforms T T J-Junction Temperature( ) J-Junction Temperature( ) Figure 3 Power Dissipation Figure 4 Drain Current Vds Drain-Source Voltage (V) I Drain Current (A) D-

 8.2. Size:896K  cn agmsemi
 agm20p07el.pdf pdf_icon

AGM20P22AS

AGM20P07EL Typical Performance Characteristics Figure 2 Typical Transfer Characteristics Figure1 Output Characteristics -I (A) -ID (A) D 25 25 4.5V T =-55 3V A 20 20 25 15 15 125 2V 2.5V 10 10 5 5 1.5V -V (V) ( ) GS -V (V) DS 0 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 Figure 3 On-resistance vs. Drain Current Figure 4 Body Diode Characteristics RDS(

 8.3. Size:1476K  cn agmsemi
 agm20p30ap1.pdf pdf_icon

AGM20P22AS

AGM20P30AP1 Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A -20 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =-20V,V =0V -- -- -1.0 A DS GS I DSS V = 10V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 V Gate Threshold Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM206AP, AGM206D, AGM206MAP, AGM206MDP, AGM208D, AGM20N65F, AGM20P07EL, AGM20P16AS, IRF740, AGM13T15A, AGM13T15C, AGM13T15D, AGM13T30A, AGM13T30D, AGM1405C1, AGM1405F, AGM14N10A