DMN4027SSS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN4027SSS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для DMN4027SSS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN4027SSS даташит

 ..1. Size:676K  diodes
dmn4027sss.pdfpdf_icon

DMN4027SSS

A Product Line of Diodes Incorporated DMN4027SSS 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 27m @ VGS= 10V 8.0A Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 40V 47m @ VGS= 4.5V 6.1A Mechanic

 5.1. Size:695K  diodes
dmn4027ssd.pdfpdf_icon

DMN4027SSS

A Product Line of Diodes Incorporated DMN4027SSD 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 27m @ VGS= 10V 7.1A Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 40V 47m @ VGS= 4.5V 5.4A Mec

 8.1. Size:464K  diodes
dmn4026sk3.pdfpdf_icon

DMN4027SSS

DMN4026SK3 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-resistance TC = +25 C Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) 24m @VGS = 10V 28A 40V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 32m @VGS = 4.5

 8.2. Size:286K  diodes
dmn4020lfde.pdfpdf_icon

DMN4027SSS

DMN4020LFDE 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 0.6mm profile ideal for low profile applications PCB footprint of 4mm2 ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low On-Resistance 20m @ VGS = 10V 8.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 40V Halogen and Antim

Другие IGBT... DMB53D0UDW, DMB53D0UV, DMB54D0UDW, DMB54D0UV, DMG1026UV, DMN4009LK3, DMN4015LK3, DMN4027SSD, IRFB4115, DMN4030LK3, DMN4031SSD, DMN4034SSD, DMN4034SSS, DMN4036LK3, DMN4040SK3, DMN5010VAK, DMN55D0UT