DMN5010VAK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN5010VAK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.28 A
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: SOT563
Аналог (замена) для DMN5010VAK
DMN5010VAK Datasheet (PDF)
..1. Size:484K diodes
dmn5l06vk dmn5l06vak dmn5010vak.pdf
dmn5l06vk dmn5l06vak dmn5010vak.pdf
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
