DMN5010VAK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN5010VAK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для DMN5010VAK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN5010VAK даташит

 ..1. Size:484K  diodes
 dmn5l06vk dmn5l06vak dmn5010vak.pdf pdf_icon

DMN5010VAK

DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT563 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

Другие IGBT... DMN4027SSD, DMN4027SSS, DMN4030LK3, DMN4031SSD, DMN4034SSD, DMN4034SSS, DMN4036LK3, DMN4040SK3, IRF9540, DMN55D0UT, DMN5L06DMK, DMN5L06DWK, DMN5L06K, DMN5L06TK, DMN5L06VAK, DMN5L06VK, DMN5L06WK