AGM308MBP - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM308MBP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM308MBP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AGM308MBP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM308MBP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1332K  cn agmsemi
 agm308mbp.pdf pdf_icon

AGM308MBP

AGM308MBPTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V =V

 7.1. Size:1694K  cn agmsemi
 agm308ma.pdf pdf_icon

AGM308MBP

AGM308MATable 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25unless otherwisenoted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DS100IGSSVGS(th) Gate Threshold Vo

 7.2. Size:1368K  cn agmsemi
 agm308mn.pdf pdf_icon

AGM308MBP

AGM308MN General DescriptionThe AGM308MN combines advanced trenchProduct SummaryMOSFET technology with a low resistance packageto provide extremely low R .DS(ON)This device is idealfor load switch and batteryprotection applications.BVDSS RDSON ID Features30V 8.8m 15AAdvance high cell density Trench technology Low R to minimize conductive lossDS(ON)

 7.3. Size:1485K  cn agmsemi
 agm308mar.pdf pdf_icon

AGM308MBP

AGM308MARTable 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25unless otherwisenoted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DS100IGSSVGS(th) Gate Threshold V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM3015H , AGM301A1 , AGM301C1 , AGM302A1 , AGM308A , AGM308AP , AGM308MA , AGM308MAR , IRF630 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.