AGMH70N90C - аналоги и даташиты транзистора

 

AGMH70N90C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGMH70N90C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 91 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AGMH70N90C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH70N90C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  cn agmsemi
 agmh70n90c.pdf pdf_icon

AGMH70N90C

AGMH70N90CTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 65 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage

 5.1. Size:1002K  cn agmsemi
 agmh70n90h.pdf pdf_icon

AGMH70N90C

AGMH70N90HTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 65 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage

 7.1. Size:1004K  cn agmsemi
 agmh70n70d.pdf pdf_icon

AGMH70N90C

AGMH70N70DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 68 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 7.2. Size:1176K  cn agmsemi
 agmh70n70c.pdf pdf_icon

AGMH70N90C

AGMH70N70CTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 68 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGMH606H , AGMH6080H , AGMH612D , AGMH614C , AGMH614D , AGMH614H , AGMH70N70C , AGMH70N70D , IRFP260 , AGMH70N90H , AGML315ME , AGMS5N50D , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.