AGM65R380F - описание и поиск аналогов

 

AGM65R380F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM65R380F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AGM65R380F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM65R380F даташит

 ..1. Size:908K  cn agmsemi
 agm65r380f.pdf pdf_icon

AGM65R380F

AGM65R380F Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 650 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltag

 9.1. Size:1372K  cn agmsemi
 agm655d.pdf pdf_icon

AGM65R380F

AGM655D 80 VGS=4.5V 70 1 150 25 VGS=10V 60 Tj=25 0.1 50 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 012345 Vsd- Source to Drain Voltage (V) ID-Drain Current (A) Figure 7. RDS(on) VS Drain Current Figure 8. Forward characteristics of reverse diode 1.15 1.4 ID=250uA ID=250uA 1.2 1.1 1 1.05 0.8 1 0.6 0.95 0.4 0.9 0.2 -75 -25 25 75 125 175 -75 -25 25 75 125 175 Tj-Junction

Другие MOSFET... AGM4025A , AGM4025D , AGM628M , AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , EMB04N03H , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.