AGM665E - описание и поиск аналогов

 

AGM665E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM665E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AGM665E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM665E даташит

 ..1. Size:1176K  cn agmsemi
 agm665e.pdf pdf_icon

AGM665E

AGM665E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I =

 8.1. Size:1368K  cn agmsemi
 agm665d.pdf pdf_icon

AGM665E

AGM665D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I =

Другие MOSFET... AGM628M , AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , MMIS60R580P , AGM6N20D , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , AGM4025Q , AGM402A .

History: 2SJ355 | R6015KNZ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.