AGM665E - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM665E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM665E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AGM665E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM665E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  cn agmsemi
 agm665e.pdf pdf_icon

AGM665E

AGM665ETable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I =

 8.1. Size:1368K  cn agmsemi
 agm665d.pdf pdf_icon

AGM665E

AGM665DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I =

Другие MOSFET... AGM628M , AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , STP65NF06 , AGM6N20D , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , , .

 

 
Back to Top

 


 
.