DMN601TK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN601TK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для DMN601TK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN601TK даташит

 ..1. Size:136K  diodes
dmn601tk.pdfpdf_icon

DMN601TK

DMN601TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance RDS(ON) Case SOT-523 Case Material Molded Plastic, Green Molding Low Gate Threshold Voltage Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensiti

 8.1. Size:148K  diodes
dmn601wk.pdfpdf_icon

DMN601TK

DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance RDS(ON) Case SOT-323 Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low Gate Threshold Voltage UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per

 8.2. Size:493K  diodes
dmn6017sk3.pdfpdf_icon

DMN601TK

DMN6017SK3 Green 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max Low Input Capacitance TC = +25 C Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 18m @ VGS = 10V 43A 60V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 20m @ VGS = 4.5V 41A Qualified to AEC-Q101 Standards for H

 8.3. Size:322K  diodes
dmn6013lfg.pdfpdf_icon

DMN601TK

DMN6013LFG 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25 C 13m @ VGS = 10V 10.3A density end products 60V 18m @ VGS = 4.5V 8.8A Occupies just 33% of the board area o

Другие IGBT... DMN5L06K, DMN5L06TK, DMN5L06VAK, DMN5L06VK, DMN5L06WK, DMN601DMK, DMN601DWK, DMN601K, SPP20N60C3, DMN601VK, DMN601WK, DMN6066SSD, DMN6066SSS, DMN6068LK3, DMN6068SE, DMN62D1SFB, DMN66D0LDW