AGM404A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AGM404A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для AGM404A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AGM404A даташит
agm404a.pdf
AGM404A Typical Performance Characteristics Figure 2 Typical Transfer Characteristics Figure1 Output Characteristics ID (A) ID (A) 120 120 10V 100 100 4.5V 4V 80 80 60 60 3.5V 40 40 125 25 20 20 VGS=3V VDS(V) VGS(V) 0 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 0 2 4 6 8 10 Figure 4 Body Diode Characteristics Figure 3 On-resistance vs. Drain Current IS(A) RDS(ON) (m )
agm404ap1.pdf
AGM404AP1 General Description Product Summary The AGM404AP1 combines advanced trench MOSFET to technology with a low resistance package provide extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal load switch and battery protection for 40V 4.4m 46A applications. Features PDFN3.3*3.3 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to
agm404q.pdf
AGM404Q Electrical Characteristics Diagrams 100 50 VGS = 6 V VDS = 5 V 90 VGS = 4.5 V 80 40 VGS = 4 V 70 VGS = 10 V 60 30 VGS = 3.5 V 50 40 20 30 125 25 VGS = 3 V 20 10 10 0 0 0 0.5 1 1.5 2 0 1 2 3 4 5 6 VGS (V) VDS (V) Figure 2 Transfer Characteristics Figure 1 On-Region Characteristics 10 2.1 9 1.9 VGS = 4.5 V VGS = 10 V 8 1.7 ID = 20 A 7 1.5 6 1
agm404d.pdf
AGM404D GM General Description Product Summary The AGM404D combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery 40V 4.5m 82A protection applications. TO-252 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technology Low R to mini
Другие MOSFET... AGM402H , AGM402Q , AGM403A1 , AGM403A1-KU , AGM403AP , AGM403D1 , AGM403DG , AGM403Q , IRF640N , AGM404AP1 , AGM612AP , AGM612D , AGM612MBP , AGM612MBQ , AGM612MN , AGM612MNA , AGM612S .
History: 2SK2371 | MTH40N06 | FDH34N40 | WM02N25M | AGM612MBP | BSC032N03SG | 2N65G-TMS-T
History: 2SK2371 | MTH40N06 | FDH34N40 | WM02N25M | AGM612MBP | BSC032N03SG | 2N65G-TMS-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent




