AGM614MBP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AGM614MBP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
Аналог (замена) для AGM614MBP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AGM614MBP даташит
agm614mbp.pdf
AGM614MBP Typical Characteristics Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 On-Resistance vs G-S Voltage Fig.3 Source Drain Forward Characteristics Fig.4 Gate-Charge Characteristics Fig.5 Normalized V vs T Fig.6 Normalized R vs T GS(th) J DSON J www.agm-mos.com 3 VER2.66 AGM614MBP Fig.7 Capacitance Fig.8 Safe Operating Area 1 DUTY=0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 PDM TON 0.02 T 0
agm614mbp-m1.pdf
AGM614MBP-M1 Electrical characteristics diagrams Fig.1 Typ. transfer characteristics Fig.2 Typ. output characteristics 80 80 VDS=5V 10V 8V 7V 60 60 6V 40 40 5.5V 20 150 20 5V 25 -55 VGS=4.5V 0 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 V (V) V (V) GS DS Fig.3 Normalized on-resistance vs drain current Fig.4 Typ. on-resistance vs gate-source voltage 50 5 ID=30A 40 4
agm614mn.pdf
AGM614MN Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 60 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- GS DS nA I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V
agm614mna.pdf
AGM614MNA Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I
Другие MOSFET... AGM612D , AGM612MBP , AGM612MBQ , AGM612MN , AGM612MNA , AGM612S , AGM614A-G , AGM614D , 7N65 , AGM614MBP-M1 , AGM614MN , AGM614MNA , AGM615D , AGM615MN , AGM615MNA , FTP16N06A , HCA60R070F .
History: KNY3703A | SI9410BDY-T1
History: KNY3703A | SI9410BDY-T1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet




