AGM614MN - описание и поиск аналогов

 

AGM614MN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM614MN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AGM614MN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM614MN даташит

 ..1. Size:964K  cn agmsemi
agm614mn.pdfpdf_icon

AGM614MN

AGM614MN Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 60 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- GS DS nA I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 0.1. Size:1226K  cn agmsemi
agm614mna.pdfpdf_icon

AGM614MN

AGM614MNA Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 7.1. Size:997K  cn agmsemi
agm614mbp.pdfpdf_icon

AGM614MN

AGM614MBP Typical Characteristics Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 On-Resistance vs G-S Voltage Fig.3 Source Drain Forward Characteristics Fig.4 Gate-Charge Characteristics Fig.5 Normalized V vs T Fig.6 Normalized R vs T GS(th) J DSON J www.agm-mos.com 3 VER2.66 AGM614MBP Fig.7 Capacitance Fig.8 Safe Operating Area 1 DUTY=0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 PDM TON 0.02 T 0

 7.2. Size:969K  cn agmsemi
agm614mbp-m1.pdfpdf_icon

AGM614MN

AGM614MBP-M1 Electrical characteristics diagrams Fig.1 Typ. transfer characteristics Fig.2 Typ. output characteristics 80 80 VDS=5V 10V 8V 7V 60 60 6V 40 40 5.5V 20 150 20 5V 25 -55 VGS=4.5V 0 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 V (V) V (V) GS DS Fig.3 Normalized on-resistance vs drain current Fig.4 Typ. on-resistance vs gate-source voltage 50 5 ID=30A 40 4

Другие MOSFET... AGM612MBQ , AGM612MN , AGM612MNA , AGM612S , AGM614A-G , AGM614D , AGM614MBP , AGM614MBP-M1 , IRF630 , AGM614MNA , AGM615D , AGM615MN , AGM615MNA , FTP16N06A , HCA60R070F , HYG043N10NS2P , HYG043N10NS2B .

History: 2SK3574-ZK | STD3PK50Z | AO4292E | 30N06G-TF3-T | AP4800CGM-HF | AGM405AP1 | 2SK3575-S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.