AGM406MBP - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM406MBP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM406MBP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AGM406MBP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM406MBP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1600K  cn agmsemi
 agm406mbp.pdf pdf_icon

AGM406MBP

AGM406MBPTypical Characteristics2.74010V,6V,5V,4.5V,4VIDS= 250uA2.4Max2.130VGS= 3.5V 1.8Typ1.5201.2Min0.910VGS= 3V Notes: 0.61. 250s pulse test2. Tj=25C0.300 25 50 75 100 125 150 1750 1 2 3 4 5VDS, Drain -Source Voltage (V)Tj - Junction Temperature (C)Fig1. Typical Output CharacteristicsFig2. Typical V Gate -Source Voltage Vs.

 6.1. Size:1712K  cn agmsemi
 agm406mbq.pdf pdf_icon

AGM406MBP

AGM406MBQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI 100GSSV Gate Threshold Voltage V =V ,I =2

 7.1. Size:1128K  cn agmsemi
 agm406mnq.pdf pdf_icon

AGM406MBP

AGM406MNQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 7.2. Size:1161K  cn agmsemi
 agm406mna.pdf pdf_icon

AGM406MBP

AGM406MNATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM405AP2 , AGM405D , AGM405DG , AGM405F , AGM405MBP , AGM405MNA , AGM405Q , AGM406AP , CS150N03A8 , AGM406MBQ , AGM406MNA , AGM406MNQ , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.