AGM406MNQ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AGM406MNQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: WQFN5X6
Аналог (замена) для AGM406MNQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AGM406MNQ даташит
agm406mnq.pdf
AGM406MNQ Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I
agm406mna.pdf
AGM406MNA Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I
agm406mbq.pdf
AGM406MBQ Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I 100 GSS V Gate Threshold Voltage V =V ,I =2
agm406mbp.pdf
AGM406MBP Typical Characteristics 2.7 40 10V,6V,5V,4.5V,4V IDS= 250uA 2.4 Max 2.1 30 VGS= 3.5V 1.8 Typ 1.5 20 1.2 Min 0.9 10 VGS= 3V Notes 0.6 1. 250 s pulse test 2. Tj=25 C 0.3 0 0 25 50 75 100 125 150 175 0 1 2 3 4 5 VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Typical V Gate -Source Voltage Vs.
Другие MOSFET... AGM405F , AGM405MBP , AGM405MNA , AGM405Q , AGM406AP , AGM406MBP , AGM406MBQ , AGM406MNA , STP80NF70 , AGM60P30A , AGM60P30AP , AGM60P30C , AGM60P30D , AGM60P35F , AGM60P40A , AGM60P40D , AGM60P85AP .
History: 2SK2371 | MTH40N06 | FDH34N40 | WM02N25M | AGM612MBP | BSC032N03SG | 2N65G-TMS-T
History: 2SK2371 | MTH40N06 | FDH34N40 | WM02N25M | AGM612MBP | BSC032N03SG | 2N65G-TMS-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor




