AGM406MNQ - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM406MNQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM406MNQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: WQFN5X6
 

 Аналог (замена) для AGM406MNQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM406MNQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1128K  cn agmsemi
 agm406mnq.pdf pdf_icon

AGM406MNQ

AGM406MNQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 6.1. Size:1161K  cn agmsemi
 agm406mna.pdf pdf_icon

AGM406MNQ

AGM406MNATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 7.1. Size:1712K  cn agmsemi
 agm406mbq.pdf pdf_icon

AGM406MNQ

AGM406MBQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI 100GSSV Gate Threshold Voltage V =V ,I =2

 7.2. Size:1600K  cn agmsemi
 agm406mbp.pdf pdf_icon

AGM406MNQ

AGM406MBPTypical Characteristics2.74010V,6V,5V,4.5V,4VIDS= 250uA2.4Max2.130VGS= 3.5V 1.8Typ1.5201.2Min0.910VGS= 3V Notes: 0.61. 250s pulse test2. Tj=25C0.300 25 50 75 100 125 150 1750 1 2 3 4 5VDS, Drain -Source Voltage (V)Tj - Junction Temperature (C)Fig1. Typical Output CharacteristicsFig2. Typical V Gate -Source Voltage Vs.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM405F , AGM405MBP , AGM405MNA , AGM405Q , AGM406AP , AGM406MBP , AGM406MBQ , AGM406MNA , STP80NF70 , , , , , , , , .

History: AGM405Q | AGM405D

 

 
Back to Top

 


 
.