AGM609AP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AGM609AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
Аналог (замена) для AGM609AP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AGM609AP даташит
agm609ap.pdf
AGM609AP General Description Product Summary The AGM609AP combines advanced Super Trench ll to MOSFET technology with a low resistance package provide extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal load switch and battery protection for applications. 60V 7.5m 58A Features Advance high cell density Trench technology PDFN3.3*3.3 Pin Configuration
agm609c.pdf
AGM609C General Description Product Summary The AGM609C combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is ideal This for load switch and battery protection applications. 60V 6.3m 80A Features TO-220 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minimize
agm609mna.pdf
AGM609MNA 100 14 VDS=5V 10V 8V 12 80 6V 10 VGS=4V 60 8 6 40 4 20 Tj=125 2 VGS=3V Tj=25 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 VDS (V) VGS (V) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Typical Transfer Characteristics 18 10 15 VGs=10V 12 9 VGs=4.5V 1 6 3 Tj=25 Tj=125 0 0.1 0 25 50 75 100 125 150 175 200 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 Tj-Iunction Temperature ( ) VSD
agm609f.pdf
AGM609F General Description Product Summary The AGM609F combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is ideal This for load switch and battery protection applications. 60V 6.3m 80A Features TO-220F Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minimize
Другие MOSFET... AGM40P100H , AGM40P13S , AGM40P150C , AGM40P25A , AGM40P25AP , AGM40P26AP , AGM40P26E , AGM40P26S , IRFZ46N , AGM609C , AGM609D , AGM609F , AGM609MNA , AGM609S , AGM60P06S , AGM60P100A , AGM60P14A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet






