AGM603D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM603D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1666 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM603D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM603D даташит

 ..1. Size:1232K  cn agmsemi
 agm603d.pdf pdf_icon

AGM603D

AGM603D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 -- V Gate Threshold Voltage V =V

 8.1. Size:981K  cn agmsemi
 agm6035f.pdf pdf_icon

AGM603D

AGM6035F Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I =2

 8.2. Size:1088K  cn agmsemi
 agm603c.pdf pdf_icon

AGM603D

AGM603C 1000 10 V 5 V 6 V VDS= 10 V 400 7 V Tj = 25 4.5 V 100 300 4 V 10 200 3.5 V 1 100 3 V VGS= 2.5 V 0.1 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VDS, Drain-source voltage (V) VGS, Gate-source voltage(V) Figure 1, Typ. output characteristics Figure 2, Typ. transfer characteristics 10.0 105 f = 100 kHz ID = 25 A VGS = 0 V VDS = 30 V 104 7.5 Ciss 103 5.0 C

 8.3. Size:1018K  cn agmsemi
 agm603f.pdf pdf_icon

AGM603D

AGM603F 1000 10 V 5 V 6 V VDS= 10 V 400 7 V Tj = 25 4.5 V 100 300 4 V 10 200 3.5 V 1 100 3 V VGS= 2.5 V 0.1 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VDS, Drain-source voltage (V) VGS, Gate-source voltage(V) Figure 1, Typ. output characteristics Figure 2, Typ. transfer characteristics 10.0 105 f = 100 kHz ID = 25 A VGS = 0 V VDS = 30 V 104 7.5 Ciss 103 5.0 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM40P65AP, AGM40P65E, AGM40P75A, AGM40P75D, AGM602C, AGM6035A, AGM6035F, AGM603C, AO3400, AGM603F, AGM605A, AGM605C, AGM605F, AGM605Q, AGM606S, AGM6070A, AGM6080C