AGM414MBP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM414MBP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM414MBP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM414MBP даташит

 ..1. Size:1099K  cn agmsemi
 agm414mbp.pdf pdf_icon

AGM414MBP

AGM414MBP General Description The AGM414MBP combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . package DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery 40V 13m 22A protection applications. Features PDFN3.3*3.3 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology R to minimize c

 9.1. Size:1117K  cn agmsemi
 agm418mbp.pdf pdf_icon

AGM414MBP

AGM418MBP Table 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwisenoted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS 100 I GSS VGS(th) Gate Threshold V

 9.2. Size:943K  cn agmsemi
 agm412d.pdf pdf_icon

AGM414MBP

AGM412D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V =

 9.3. Size:1702K  cn agmsemi
 agm412mpa.pdf pdf_icon

AGM414MBP

AGM412MPA Table 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwisenoted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS 100 I GSS VGS(th) Gate Threshold V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM6070A, AGM6080C, AGM6080D, AGM608C, AGM412D, AGM412MAP, AGM412MPA, AGM412S, STP75NF75, AGM418M, AGM418MBP, AGM420MA, AGM420MAP, AGM420MBA, AGM420MC, AGM420MD, AGM425M