AGM6018A - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM6018A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM6018A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1847 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AGM6018A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM6018A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  cn agmsemi
 agm6018a.pdf pdf_icon

AGM6018A

AGM6018ATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1.0 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,

 8.1. Size:1254K  cn agmsemi
 agm6014a.pdf pdf_icon

AGM6018A

AGM6014ATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1.0 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,

 8.2. Size:934K  cn agmsemi
 agm601ll.pdf pdf_icon

AGM6018A

AGM601LLTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 8.3. Size:1169K  cn agmsemi
 agm6014ap.pdf pdf_icon

AGM6018A

AGM6014AP General DescriptionThe AGM6014AP combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package Product Summaryto provide extremely low R .DS(ON)device is idealThis for load switch and batteryprotection applications.BVDSS RDSON ID Features60V 4.3m 72AAdvance high cell density Trench technology Low R to minimize conductive lossDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM502 , AGM55N15A , AGM55N15D , AGM55P10A , AGM55P10D , AGM55P10S , AGM6014A , AGM6014AP , STP80NF70 , AGM601LL , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.