AP200N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP200N04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 523 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP200N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP200N04 даташит

 ..1. Size:1742K  allpower
 ap200n04.pdf pdf_icon

AP200N04

 0.1. Size:1738K  allpower
 ap200n04d.pdf pdf_icon

AP200N04

 0.2. Size:1341K  cn apm
 ap200n04tlg5.pdf pdf_icon

AP200N04

AP200N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP200N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =200A DS D R

 0.3. Size:1438K  cn apm
 ap200n04nf.pdf pdf_icon

AP200N04

AP200N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP200N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =200A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP150N03G, AP150N03Q, AP15N10K, AP1605, AP1606, AP180N03G, AP18P30Q, AP2003, STF13NM60N, AP200N04D, AP2012, AP2012S, AP2022S, AP2035G, AP2035Q, AP2045KD, AP2055K