AP2035Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2035Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 368 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2035Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2035Q даташит

 ..1. Size:1452K  allpower
 ap2035q.pdf pdf_icon

AP2035Q

AP2035Q N-Channel Enhancement Mosfet Feature 20V,70A R

 8.1. Size:925K  allpower
 ap2035g.pdf pdf_icon

AP2035Q

Другие IGBT... AP18P30Q, AP2003, AP200N04, AP200N04D, AP2012, AP2012S, AP2022S, AP2035G, AO3400A, AP2045KD, AP2055K, AP2080KA, AP2080Q, AP20N06T, AP20N100Q, AP20P30S, AP2301B