AP25P06Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP25P06Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP25P06Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25P06Q даташит

 ..1. Size:675K  allpower
 ap25p06q.pdf pdf_icon

AP25P06Q

 7.1. Size:2097K  allpower
 ap25p06k.pdf pdf_icon

AP25P06Q

 9.1. Size:96K  ape
 ap25p15gi.pdf pdf_icon

AP25P06Q

AP25P15GI RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -140V Simple Drive Requirement RDS(ON) 95m Fast Switching Characteristic ID -23A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 9.2. Size:93K  ape
 ap25p15gs-hf.pdf pdf_icon

AP25P06Q

AP25P15GS-HF RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -140V Simple Drive Requirement RDS(ON) 95m Fast Switching Characteristic ID -23A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2317A, AP2317QD, AP2317SD, AP2318A, AP2335, AP25N06K, AP25N06Q, AP25P06K, IRFP064N, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S