AP2716SD datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP2716SD 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4(7.5) W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13(15) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84(155) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(0.044) Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP2716SD
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2716SD даташит
Другие IGBT... AP25N06Q, AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, IRF840, AP2N65K, AP3002S, AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor





