AP2N65K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2N65K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N65K даташит

 ..1. Size:873K  allpower
 ap2n65k.pdf pdf_icon

AP2N65K

Другие IGBT... AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, 20N60, AP3002S, AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K