AP3065SD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3065SD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21(8) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48(90) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045(0.085) Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3065SD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3065SD даташит

 ..1. Size:1268K  allpower
 ap3065sd.pdf pdf_icon

AP3065SD

Другие IGBT... AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S, AP3003, AP3004S, IRFP460, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K