AP30H180K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30H180K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP30H180K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H180K даташит

 ..1. Size:659K  allpower
ap30h180k.pdfpdf_icon

AP30H180K

 8.1. Size:2151K  allpower
ap30h150ka.pdfpdf_icon

AP30H180K

 8.2. Size:1380K  allpower
ap30h100ka.pdfpdf_icon

AP30H180K

 8.3. Size:591K  allpower
ap30h150q.pdfpdf_icon

AP30H180K

Другие IGBT... AP2N65K, AP3002S, AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, IRLZ44N, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A