AP3101A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP3101A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP3101A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP3101A даташит
ap3101a.pdf
AP3101A 3101A AP3101A AP3101A AP3101A AP3101A AP3101A AP3101A SOT23-3
Другие IGBT... AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, IRFB4115, AP3134N5, AP3139, AP3205, AP3404, AP3404S, AP3415E, AP3912GD, AP3N50F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121


