AP4008SD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4008SD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4008SD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4008SD даташит

 ..1. Size:754K  allpower
 ap4008sd.pdf pdf_icon

AP4008SD

 8.1. Size:686K  1
 ap4008qd.pdf pdf_icon

AP4008SD

 8.2. Size:686K  allpower
 ap4008qd.pdf pdf_icon

AP4008SD

 9.1. Size:60K  ape
 ap4002h j.pdf pdf_icon

AP4008SD

AP4002H/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2A G S Description G AP4002 series are specially designed as chopper regulator, DC/DC converter D S TO-251(J) and power drive application. The APEC MOSFET provid

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4407, AP4407C, AP4409S, AP4410, AP4435C, AP4580, AP4606, AP4688S, 4435, AP4013S, AP40N06K, AP40N100K, AP40N100LK, AP40P04G, AP40P04K, AP40P04Q, AP40P05