AP4812S - описание и поиск аналогов

 

AP4812S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4812S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4812S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4812S технические параметры

 ..1. Size:562K  allpower
ap4812s.pdfpdf_icon

AP4812S

 8.1. Size:1322K  allpower
ap4812.pdfpdf_icon

AP4812S

 9.1. Size:131K  ape
ap4816gsm.pdfpdf_icon

AP4812S

AP4816GSM RoHS-compliant Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22m D1 Fast Switching Performance ID 6.7A G2 CH-2 BVDSS 30V S2/A S2/A SO-8 RDS(ON) 13m G1 Description ID 11.5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des

 9.2. Size:60K  ape
ap4813gyt-hf.pdfpdf_icon

AP4812S

AP4813GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10m Schottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fas

Другие MOSFET... AP40N06K , AP40N100K , AP40N100LK , AP40P04G , AP40P04K , AP40P04Q , AP40P05 , AP4812 , AON6380 , AP4813K , AP4846 , AP4847 , AP4946S , AP5040QD , AP50N04GD , AP50N04K , AP50N04Q .

 

 
Back to Top

 


 
.