AP5040QD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5040QD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5040QD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5040QD даташит

 ..1. Size:570K  allpower
 ap5040qd.pdf pdf_icon

AP5040QD

Другие IGBT... AP40P04Q, AP40P05, AP4812, AP4812S, AP4813K, AP4846, AP4847, AP4946S, STP80NF70, AP50N04GD, AP50N04K, AP50N04Q, AP50N04QD, AP50N06K, AP50P06K, AP50P20K, AP50P20Q