AP50N04GD datasheet, аналоги, параметры транзистора

AP50N04GD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP50N04GD 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для AP50N04GD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:623K allpower
ap50n04gd.pdf pdf_icon

7.1. Size:645K allpower
ap50n04k.pdf pdf_icon

7.2. Size:557K allpower
ap50n04qd.pdf pdf_icon

7.3. Size:523K allpower
ap50n04q.pdf pdf_icon