AP5N10M - описание и поиск аналогов

 

AP5N10M - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP5N10M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N10M технические параметры

 ..1. Size:790K  allpower
 ap5n10m.pdf pdf_icon

AP5N10M

 0.1. Size:1712K  cn apm
 ap5n10mi.pdf pdf_icon

AP5N10M

AP5N10MI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

 8.1. Size:1586K  allpower
 ap5n10s.pdf pdf_icon

AP5N10M

 8.2. Size:1620K  cn apm
 ap5n10si.pdf pdf_icon

AP5N10M

AP5N10SI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP50N04GD , AP50N04K , AP50N04Q , AP50N04QD , AP50N06K , AP50P06K , AP50P20K , AP50P20Q , 10N65 , AP5N10S , AP5N20K , AP5N50K , AP6007S , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.