AP5N10M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5N10M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5N10M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N10M даташит

 ..1. Size:790K  allpower
 ap5n10m.pdf pdf_icon

AP5N10M

 0.1. Size:1712K  cn apm
 ap5n10mi.pdf pdf_icon

AP5N10M

AP5N10MI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

 8.1. Size:1586K  allpower
 ap5n10s.pdf pdf_icon

AP5N10M

 8.2. Size:1620K  cn apm
 ap5n10si.pdf pdf_icon

AP5N10M

AP5N10SI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP50N04GD, AP50N04K, AP50N04Q, AP50N04QD, AP50N06K, AP50P06K, AP50P20K, AP50P20Q, 10N65, AP5N10S, AP5N20K, AP5N50K, AP6007S, AP6009S, AP60N04Q, AP60P20K, AP6242