AP6009S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP6009S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP6009S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6009S даташит

 ..1. Size:1816K  allpower
 ap6009s.pdf pdf_icon

AP6009S

 9.1. Size:562K  allpower
 ap6007s.pdf pdf_icon

AP6009S

Другие IGBT... AP50P06K, AP50P20K, AP50P20Q, AP5N10M, AP5N10S, AP5N20K, AP5N50K, AP6007S, 18N50, AP60N04Q, AP60P20K, AP6242, AP6800, AP6802, AP6900, AP70N100K, AP70P03K