AP6800 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP6800  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP6800

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6800 даташит

 ..1. Size:1419K  allpower
 ap6800.pdf pdf_icon

AP6800

 0.1. Size:107K  ape
 ap6800geo.pdf pdf_icon

AP6800

AP6800GEO Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Low on-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1 S1 Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8 D1 RoHS compliant Description D1 D2 The Advanced Power M

 0.2. Size:165K  ape
 ap6800ey.pdf pdf_icon

AP6800

AP6800EY Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET S2 Simple Drive Requirement BVDSS 60V G2 D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2 D2 Surface mount package ID3 260mA G1 SOT-26 S1 RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D2 Description G1 G2 AP6800 series are from Advanced Power innovated design and silicon proce

 9.1. Size:732K  allpower
 ap6802.pdf pdf_icon

AP6800

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP5N10S, AP5N20K, AP5N50K, AP6007S, AP6009S, AP60N04Q, AP60P20K, AP6242, STF13NM60N, AP6802, AP6900, AP70N100K, AP70P03K, AP75N04K, AP7N10K, AP80N06DH, AP80N06H