AP80N06DH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP80N06DH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP80N06DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N06DH даташит

 ..1. Size:575K  allpower
 ap80n06dh.pdf pdf_icon

AP80N06DH

 6.1. Size:2631K  cn apm
 ap80n06d.pdf pdf_icon

AP80N06DH

AP80N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 7.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =80 A DS D R

 7.1. Size:583K  allpower
 ap80n06h.pdf pdf_icon

AP80N06DH

 7.2. Size:599K  allpower
 ap80n06t.pdf pdf_icon

AP80N06DH

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6242, AP6800, AP6802, AP6900, AP70N100K, AP70P03K, AP75N04K, AP7N10K, IRFZ46N, AP80N06H, AP80N06T, AP80P04K, AP85N04G, AP85N04K, AP85N04Q, AP85P04G, AP90N03GD