AP85N04K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP85N04K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP85N04K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85N04K даташит

 ..1. Size:650K  allpower
 ap85n04k.pdf pdf_icon

AP85N04K

 7.1. Size:575K  allpower
 ap85n04q.pdf pdf_icon

AP85N04K

 7.2. Size:2065K  allpower
 ap85n04g.pdf pdf_icon

AP85N04K

 7.3. Size:1830K  cn apm
 ap85n04nf.pdf pdf_icon

AP85N04K

AP85N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =100 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP70P03K, AP75N04K, AP7N10K, AP80N06DH, AP80N06H, AP80N06T, AP80P04K, AP85N04G, AO4468, AP85N04Q, AP85P04G, AP90N03GD, AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K